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最新内容
2018年05期
成都集成电路行业协会成立推进产业联动、构建特色产业生态
美国布法罗大学研制出耐压1850V的氧化镓晶体管提高器件功率并保持小体积、低质量
宜普电源转换公司推出100V,25mΩ的eGaN功率晶体管
意法半导体和Leti合作开发硅基氮化镓功率转换技术
氮化镓(GaN)器件可满足雷达、电子战(EW)和通信系统所需的高性能、高功率和
台达公司使用高压GaN FET将电源尺寸缩小25%
雷神公司宣布在新生产的GEM-T拦截器中使用GaN发射器芯片
高电子迁移率的磁感应氮化镓晶体管
光电化学蚀刻可用于制造氮化镓中高纵横比深沟槽
集成SiC SBD的6.5kV全SiC MOSFET功率模块
力特公司推出首款1700V SiC MOSFET
提高车载充电器效率 英飞凌推首款车用碳化硅产品
埃赋隆半导体推出大功率坚固型BLF189XRA RF功率晶体管
英飞凌推出新型950V CoolMOS P7超结MOSFET器件
Integra公司推出用于敌我识别器航空电子设备的射频和微波晶体管
Ampleon面向粒子加速器推出62%效率的Gen9HV LDMOS晶体管而引领射频功率效率
英国比克科技发布两款射频新产品
美国Integra公司推出碳化硅(SiC)基氮化镓(GaN)射频功率放大器模块用于高性能L波段航空电子系统
Empower RF推出600-6000MHz 150W GaN系统放大器
美国Macom公司新推出GaAs基单刀双掷开关针对电子战和宽带通信系统等应用进行了优化
Pasternack推出采用50欧姆反射式设计的单刀双掷高功率PIN二极管射频开关新产品线
美国StratEdge公司将展示高频高速高效GaN和GaAs封装
用于高频和功率电子器件的GaN-SiC混合材料
5G毫米波收发器和波束形成器将成为焦点
2018、2019年世界半导体市场发展预估
2018年全球半导体分立器件销售额将达231亿美元
2018年MEMS市场将达127亿美元未来五年平均售价趋
今年全球半导体支出将首次突破1000亿美元内存投资继续疯狂
碳化硅晶圆产能有限供不应求将成常态
SiC功率半导体器件需求年增29%X-FAB计划倍增6英寸SiC产能
国内首条SiC智能功率模块生产线在厦门正式投产
上海华力二期12英寸集成电路生产线建成投片
我国首家12英寸功率半导体项目将在重庆投产
IDM龙头12英寸新产线近日开工
三星已成全球芯片霸主规划芯片制程路线:2022年要上3nm
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